像是mota800光刻机在刚出的时候，国产化率只有百分之二十几，而到了现在，mota400光刻机的国产化率直接是百分之四十起步的。
提升了十几个百分点。
这无疑来讲，是一个相当巨大的进步。
mota400光刻机属于第二代光刻机，是mota800的升级版产品。
可以实现最小400nm的工艺节点，当然，通过特殊的工艺制程的话，可以生产更低节点工艺的芯片。
只不过在成本上面，可能会是稍稍贵了那么些。
光刻机最为重要的，就是光源。
现在采用的光源都属于深紫外光。
第一代光刻机采用的波长436nm的g-line光源，现在的光刻机采用波长365nm的i-line光源。
下一代光源也已经确定了，是波长248nm的krf光源。
第四代的时候，采用波长193nm的arf光源。
但是，已经有一个新的概念被提了出来，那就是极紫外光刻机。
这可能很多人都不熟悉，换上一个说法：euv光刻机。每一次光源的改进，都是能够显着提升光刻机所能实现的最小工艺节点。
只不过极紫外光刻机这个新概念被提了出来，但是却没有企业往这个上面投钱。
很简单的原因，极紫外光想要作为光源用到光刻上面，技术难度实在有着些过于的高了些。
反正，这属于一个概念性的东西。
市场上面的光刻机，还依旧的能够满足需求，大家对于这极紫外光刻机并不急着要。
实际上，asml在1999年的时候才开始进行euv光刻机的研发工作。
计划是通过五年时间，在2004年的时候，就推出euv光刻机产品。
但是到了2010年才是搞出第一台euv光刻机原型机，2016年才是向下游客户正式供货。
凭借着euv光刻机，asml也是一举成为全球光刻机领域当之无愧的最大巨头。
光源对于光刻机的重要性，实在过于的重要了一些。
陈怀庆也是看过一些报道，说华国在极紫外光源上面是有着突破的。
也不知道具体情况到底如何。
网络上面的新闻，这很多都只是看上一个乐就行。
除了光源之外，工作台和新的光刻技术创新，也是能够提升最小工艺节点和生产效率以及产品良品率。
此时大家对极紫外光刻机没有什么信心，可是陈怀庆却知道，这东西真的能行啊！
所以陈怀庆已经要求墨塔微电研发euv光刻机，并且在投入上面，还不小。
首先就是在光源技术上面，得要先研究出来大功率的极紫外光源才行。
陈怀庆觉得，肯定没有什么问题的。
他可是记得，米国一直在推激光武器的概念。
然后华国的激光武器都已经可以实战化了，然后米国一下子就哑火了。
自己提出来的概念，怎么华国给先搞了出来？
极紫外光刻机是米国那边提出来的，为了打压霓虹的半导体行业，对于极紫外光刻机的研究，根本就不要霓虹参与进来。
事实上，靠着美欧的能力，整个研究显得很吃力。
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